沒有EUV的突圍戰:中國能否"彎道超車"?

2026-02-26 | 來源: Newtalk | 轉到微信 | 有0人參與評論 | 字體: 放大縮小 | 收藏 | 打印

在全球科技競逐的棋局中，半導體始終是最具戰略分量的核心產業。近年來，中國在芯片自主化上屢傳突破，從7納米到所謂5納米級制程，頻頻登上國際媒體。然而，若回到技術本質與產業結構檢視，中國是否真能在先進制程上追上領先者，答案遠比標題來得復雜。

當前關鍵門檻在於極紫外光(EUV)微影技術。對3納米及以下節點而言，EUV幾乎不可或缺。但在出口管制下，中芯國際無法取得EUV，只能依賴深紫外光(DUV)浸潤式微影，並透過自對准四重圖形化(SAQP)等多重曝光技術，以增加制程步驟換取更小線寬。這種“以工程強度彌補設備差距”的策略確實帶來成果，外界普遍認為中芯已能以DUV制造准7納米產品。

根據TechInsights拆解，華為Mate 80系列搭載的麒麟9030與9030 Pro由中芯N 3制程生產。然而，N 3更接近既有7納米(N2)的延伸優化，而非真正5納米世代的跨越。其前段晶體管架構未出現根本變革，性能與密度提升主要來自後段金屬層間距壓縮，以及設計與制程的高度協同。換言之，這是在DUV框架下的極限微調，而非建立在EUV基礎上的世代轉換，其技術天花板已隱然可見。

更嚴峻的是成本與良率。多重曝光意味著更多步驟、更高疊對誤差風險與更長生產周期。每增加一次曝光，缺陷與變異風險同步上升。外界推估，中芯7納米良率約五成; 若挑戰5納米級，良率恐降至三至四成，且成本高出台積電同級制程4至5成。即便數據仍有討論空間，結構現實卻清楚：缺乏EUV，要同時實現高良率、低成本與穩定量產，難度極高，經濟效益有限。

即便取得EUV，也未必水到渠成。英特爾與三星皆擁有EUV產線，卻曾在先進節點推進中遭遇良率與成本壓力。這說明競賽從來不是“買到設備”即可解決。台積電的優勢不僅在於機台，更在於長年累積的制程整合能力、缺陷管理經驗、供應鏈協同效率與高度紀律化的量產體系。先進制造是一項系統工程——設備只是門票，體系才是關鍵。

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進一步看，微影只是生態系一環。先進制程高度依賴電子設計自動化(EDA)軟件、智能財產核心模塊(核心IP)、先進材料、量測系統與關鍵設備，相關領域仍由美、歐、日企業主導。各環節緊密交織，形成高度協同的技術網絡。單點突破難以改寫全局，真正的挑戰在於整體生態的重建。

中國企業並未停步。華為與上海微電子已布局EUV相關專利，展現長期自主化企圖。但從專利構想到穩定量產，往往橫亙數十年技術積累與全球供應鏈整合。 ASML 能實現 EUV 商業化，本身即是跨國分工與長期研發的成果。在相對封閉環境下復制此種模式，難度不言而喻。

更現實的是，技術邊界仍在前移。 2025年初，英特爾已將高數值孔徑(High-NA)EUV導入生產，象征3納米之後的新競賽展開。即便中國未來成功開發低數值孔徑(Low-NA)EUV，也將面對持續提升的門檻。半導體競爭從不是靜態距離，而是一場動態追逐。

總體而言，中國半導體展現出相當韌性與工程能力，在受限條件下仍推進技術，值得正視。然而，缺乏EUV、仰賴DUV多重曝光、EDA與核心IP受制於人，以及成本與良率壓力，構成結構性挑戰。半導體的真正領先，不只是一台關鍵設備，而是一整套高度協同的產業體系。追趕可以靠決心與資源，超越則需要時間、制度與生態的積累，很難在短期內突破。